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什么是霍爾效應 ？
發(fā)布時(shí)間：2014-11-10 新聞來(lái)源：【高斯計_特斯拉計_霍爾探頭】生產(chǎn)廠(chǎng)家
半導體薄片置于磁感應強度為 B 的磁場(chǎng)中，磁場(chǎng)方向垂直于薄片，如圖所示。當有電流 I流過(guò)薄片時(shí)，在垂直于電流和磁場(chǎng)的方向上將產(chǎn)生電動(dòng)勢 EH ，這種現象稱(chēng)為霍爾效應，該電動(dòng)勢稱(chēng)為霍爾電勢，上述半導體薄片稱(chēng)為霍爾元件。流入激勵電流端的電流 I 越大、作用在薄片上的磁場(chǎng)強度 B越強，霍爾電勢也就越高。磁場(chǎng)方向相反，霍爾電勢的方向也隨之改變，因此霍爾傳感器能用于測量靜態(tài)磁場(chǎng)或交變磁場(chǎng)。
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